5月22日消息，據外電報道，在人工智能芯片市場蓬勃發展的背景下，全球最大的存儲芯片制造商三星電子已經落后于同行，因此更換了半導體部門的負責人，以克服芯片危機。
這家韓國制造商周二表示，已任命楊鉉俊 (Young Hyun Jun) 為公司未來業務規劃部門負責人，任命立即生效。
分析師表示，此舉可能旨在趕上人工智能使用的高端芯片市場，例如高帶寬內存 (HBM) 芯片，三星在這一領域落后于 SK 海力士(000660.KS)等競爭對手。
三星在一份聲明中表示：這是通過重塑內部和外部氛圍來增強未來競爭力的先發制人舉措。
根據數據提供商 TrendForce 的數據，去年第四季度，三星在科技設備中使用的 DRAM 芯片市場份額達到 45.5%。然而，它在小眾但日益重要的 HBM 芯片領域落后，SK 海力士控制著 90% 以上的主流 HBM3 市場。
HBM3 是第四代 HBM 標準，目前最常用于 AI 芯片組，例如行業領導者 Nvidia (NVDA.O)制造的芯片組。
Jun，63 歲，在致力于 DRAM 和閃存芯片的開發后，于 2014 年至 2017 年領導三星的存儲芯片業務。他還是電池部門三星SDI （006400.KS）的首席執行官，2017 年至 2022 年，監管與汽車制造商 Stellantis (STLAM.MI)的美國電動汽車電池合資企業。
三星表示：我們希望他能夠憑借自己積累的管理知識克服芯片危機。
自 2022 年以來一直領導半導體部門的 Kye Hyun Kyung 將接替 Jun 的職位，擔任其未來業務規劃部門負責人。
分析師表示，鑒于三星大多數人事變動通常發生在年初，因此在年中更換如此高級的職位并不常見。
芯片部門表現落后
分析師表示，三星對人工智能芯片組所用內存芯片快速增長的需求反應遲緩，專用產品的價格明顯較高，盡管按出貨量計算，其在 DRAM 市場的份額較小。
BNK Investment & Securities分析師Lee Min-hee表示：芯片部門在各方面的競爭力一直落后，在高密度DRAM、NAND產品方面不再領先于競爭對手。
「它也錯過了很多全球人工智能的上升趨勢。」李補充道。
在三星 3 月份的年會上，前芯片部門負責人 Kyung 堅稱，該制造商未來可以避免在 HBM 市場犯下類似的錯誤。
在回答股東關于三星近期在該領域遭遇的挫折的問題時，Kyung 表示：我們已經做好了更好的準備，以防止將來再次發生這種情況。