家 5 月 17 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日報道稱，三星電子考慮在 HBM4 內存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 級）DRAM 裸片，以提升其產品在能效等方面的競爭力。
三星電子代表今年早些時候在行業會議 Memcon 2024 上表示，該企業計劃在今年底前實現 1c nm 制程的量產；而在 HBM4 方面，三星電子預計在明年完成該新型 AI 內存的開發，2026 年實現量產。
在目前已量產的 HBM3E 上，三星并未像競爭對手 SK 海力士、美光那樣采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 顆粒，在能耗方面處于劣勢。
這被消息人士認為是三星內部考慮在 HBM4 上就導入 1c nm DRAM 顆粒的重要誘因。
IT之家獲悉，同一制程節點的首批 DRAM 產品一般是面向桌面和移動端市場的標準 DDR / LPDDR 產品，等到成熟后才會在高價值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士還稱，三星電子 HBM 業務相關高管和工作組也計劃同步將 HBM4 的開發時間周期縮短，以跟上 AI 處理器廠商的需求。但這必然會帶來更大的良率風險。
目前 HBM 內存領域的領軍企業 SK 海力士已表達了計劃在 HBM4E 上導入 1c nm 制程顆粒的意向，但尚未正式確認 HBM4 內存具體使用哪種制程的 DRAM。