8 月 8 日消息，三星在 2024 年閃存峰會(huì) (FMS) 上展示了多款 SSD 新品 ——PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1，還對(duì)第九代 QLD V-NAND、TLC V-NAND 以及 CMM-D – DRAM 、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL 技術(shù)進(jìn)行了介紹。

BM1743 采用 QLC 閃存，容量可達(dá) 128TB，連續(xù)讀取速度為 7.5 GB/s，寫入速度 3.5 GB/s，隨機(jī)讀取 160 萬 IOPS，寫入 45000 IOPS，采用 2.5 英寸外形和 U.2 接口，閑置功耗降低至 4W，后續(xù) OTA 更新后甚至只需要 2W。

三星 PM1753 速度更快，連續(xù)讀取速度達(dá) 14.8 GB/s，寫入速度 11 GB/s，承諾可提供 340 萬 IOPS 隨機(jī)讀取性能，寫入 60 萬 IOPS，最大容量為 32 TB，提供 U.2 及 E3.S 版本可選，其他細(xì)節(jié)尚未公布。

三星 PPT 中還提到了一款容量為 1 PB 的 SSD，但預(yù)期發(fā)布日期是 2035 年。此外，容量為 256 TB 的 SSD 將于 2024~2026 年之間推出；512 TB 將在 2027~2029 年推出，僅規(guī)劃用于 EDSFF-E3.L 數(shù)據(jù)中心。至于消費(fèi)級(jí)的 M.2，我們至少得等到 2027 年才能從三星那里買到 16 TB 的相關(guān)產(chǎn)品。

▲ 三星電子副總裁，先行開發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人張實(shí)完（Silwan Chang）發(fā)表主題演講

IT之家注意到，三星電子也在今日在北京舉辦的 2024 年開放計(jì)算中國峰會(huì)（OCP China）上提到了多款相關(guān)產(chǎn)品，例如 2023 年末推出的 PM1743a（32TB / 64TB），以及數(shù)據(jù)中心級(jí) PM9D3a，以及基于第九代 VNAND 技術(shù)的 PM1753 等產(chǎn)品。

▲ 三星半導(dǎo)體展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)展示創(chuàng)新大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品 PM9D3a

據(jù)介紹，作為三星業(yè)界首款 8 通道 PCIe Gen5 SSD，PM9D3a 突破了現(xiàn)有閃存層次結(jié)構(gòu)的限制，實(shí)現(xiàn)了每 TB 高達(dá) 50K IOPS 的隨機(jī)寫入性能，并率先支持 FDP 技術(shù)，已經(jīng)在美國以及中國的主要數(shù)據(jù)中心完成引入測(cè)試。

三星電子即將推出的新一代 PCIe Gen5 SSD PM1753 與上一代產(chǎn)品相比，順序?qū)懭胄阅芴嵘?1.6 倍，隨機(jī)讀寫速度分別提升 1.3 和 1.7 倍。

三星表示，在追求技術(shù)突破的同時(shí)，AI 處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基于 TLC 技術(shù)的 PM1753 為例，其 AI 工作負(fù)載下的順序?qū)懭肽苄П壬弦淮啾忍岣?1.7 倍，在傳統(tǒng)服務(wù)器中的隨機(jī) I / O 操作的能效也提高了 1.6 倍。AI 應(yīng)用既要優(yōu)化 I / O 操作時(shí)的功耗，同時(shí)也要降低 SSD 在待機(jī)狀態(tài)下的功耗。PM1753 的閑置功耗已經(jīng)降至 4W，下一代產(chǎn)品計(jì)劃將閑置功耗壓縮至 2W，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的目標(biāo)。PM1753 有望成為生成式 AI 服務(wù)器應(yīng)用所需的出色解決方案。

在演講末尾，三星還介紹了近期正在進(jìn)行客戶測(cè)試的 HBM3E 內(nèi)存產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其速度可高達(dá) 9.8Gbps，帶寬不低于 1TB/s；而下一代 HBM4 產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)在 2025 年介紹給大家。同時(shí)，三星還提及了業(yè)界首款基于 SoC（處理器）的 CMM 產(chǎn)品 CMM-H，包括 CMM-PM 和 CMM-H TM，分別針對(duì)數(shù)據(jù)持久性和虛擬機(jī)遷移需求，為 AI 時(shí)代提供更強(qiáng)大的內(nèi)存解決方案。